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  • MOS场效应管辐射如何降低-MOS场效应管-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管辐射如何降低-MOS场效应管-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    超级结MOS场效应管如何让辐射降低并提高效率 超级结可在平面MOS场效应管应用中提高效率,并可降低导通电阻和寄生电容,但会产生电压dv/dt和电流di/dt快速开关转换,形成高频噪声和辐射EMI。 快速开关超级结MOS场效应管要被驱动,要了解封装和PCB布局寄生效影响开关性能, 应用超级结所做PCB布局调整。?

    时间:2021/1/27 关键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管结构电容压控特性分析
    MOS场效应管结构电容压控特性分析
    PMOS场效应管变容管连接+压控特性 短接:漏+源+衬底 然后把它当作电容一极接高电平,栅极=另一极接低电平 电容值:与VBG?相关 VBG=衬底与栅间电压 PMOS场效应管变容管受衬栅电压VBG?影响,变容管电容作栅氧化层电容,与半导体空间电荷区电容串联,VBG?> 阈值电压 形成反型载流子沟道,变容管工作在强反型区域; VG=栅电位 VB=衬底电位 VG>VB,变容管进入积累区 栅氧化层与半导体间界面电压>0,电子自由移动;

    时间:2021/1/26 关键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管应用于全桥整流式+双管推挽放大电路分析-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管应用于全桥整流式+双管推挽放大电路分析-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    全桥整流式电路,此电路用了MOS场效应管4个,对管同时导通工作 MOS场效应管:Q1,Q2,Q3,Q4 半周期内: 导通:Q1、Q3 截止:Q2、Q4 导通:Q2、Q4 截止:Q1、Q3 由2个MOS场效应管分压,降低对MOS场效应管耐压要求 但MOS场效应管4个:开关损耗+损耗功率都相应增加, 若是应用于:大功率场合(农业机械)电能利用率降低,但能耗损失增大;

    时间:2021/1/19 关键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管内部晶胞等效模型-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管内部晶胞等效模型-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管组成:内部由晶胞并联 按单位面积计算或晶元面积越大,晶胞越多,导通电阻RDS)ON)越小; 单元G极和S极:是内部金属导体连接集成在晶元一个位置,导线引出管脚; 参考点在G极在晶元集成处,单元离此点越远,G极等效串联电阻越大; 晶胞单元有着不一致VGS电压,因串联等效栅极和源极电阻分压作用而形成; 晶胞单元电流不一致:在MOS场效应管开启过程,因栅极电容的作用; 晶胞热不平衡:在MOS场效应管开关瞬态过程 MOS场效应管等效模型,?导通过程,漏极电流ID渐渐上升,越接近栅极管脚晶胞单元电压越大,流过电流也越大,温度越高; 若:在离栅极管脚最远处,晶胞单元可能没导通;

    时间:2021/1/14 关键词:MOS场效应管

  • 温度影响MOS场效应管传输特征分析-MOS场效应管特点-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    温度影响MOS场效应管传输特征分析-MOS场效应管特点-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管数据表中的典型传输特性,特别是25℃+175℃两曲线交点,此交点对应相应电压VGS和电流ID; 如果:交点VGS=转折电压, VGS转折电压左下部分曲线 VGS电压=一定值??越高温度,流过电流越大, 温度和电流形成正反馈,MOS场效应管RDS(ON)=负温度系数,此区域为负温度系数区域; VGS转折电压右上部分曲线 VGS=一定值,越高温度,流过电流越小, 温度和电流形成负反馈,MOS场效应管RDS(ON)=正温度系数,此区域为正温度系数区域;

    时间:2021/1/12 关键词:MOS场效应管

  • 沟槽MOS场效应管性能受刻蚀工艺影响-MOS场效应管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    沟槽MOS场效应管性能受刻蚀工艺影响-MOS场效应管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    设定:传统工艺,栅极顶部到外延层表面多晶硅去除量130 nm/230 nm/310 nm MOS场效应管电性能参数比较增加多晶硅去除量,即降低阈值开启电压,因此有效沟道的长度变短,源区离子经过侧壁注入沟道,源区结深在沟道表面变深; 漏源间漏电流即有区别 多晶硅去除量=310 nm 会增大部分区域漏电流,若减少多晶硅去除量,随着它减少即慢慢消失,因此刻蚀工艺与MOS场效应管性相关联; 如何解决它们的相关联 即应用突起式多晶硅技术;

    时间:2021/1/11 关键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管DC电气加散热电容模拟图-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管DC电气加散热电容模拟图-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管DC电气加散热电容模拟模型从左上角电流源开始,是系统增加热量模拟; 电流→裸片热容→热阻; 热量→裸片→引线框→封装灌封材料; →引线框热量→封装→散热片间接触面; 热量→散热片→热环境; 网络电压即高于环境温升 网络显示估算出的热容值+热阻值,此模型可环境和DC模拟,根据厂商提供?SOA 曲线图计算;

    时间:2021/1/7 关键词:MOS场效应管

  • MOS场效应管应用于开关电源及马达控制-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管应用于开关电源及马达控制-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管应用于马达控制 它是典型半桥式控制电路,MOS场效应管2个,它们的关断时间或死区时间相等, 关键点是反向恢复时间trr; 控制电感式负载,控制电路把桥式电路MOS场效应管切换至关断时,桥式电路另一开关通过MOS场效应管体二极管临时反向传导电流,电流重新循环,即为马达供电持续; 其中一个MOS场效应管再次导通,一个MOS场效应管二极管存储电荷必定移除,即第一个放电,也损耗能量,越短trr,?越小损耗;

    时间:2021/1/5 关键词:MOS场效应管

  • VDMOS电容基本原理组成及参数关系-mos管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    VDMOS电容基本原理组成及参数关系-mos管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    VDMOS电容和寄生电容决定其开关特性; VDMOS电容组成:栅源电容Cgs+栅漏电容Cgd+源漏电容Cds,开关速度受电容充放电限制主因 栅源间电容组成 Cgs(N+)=栅源交叠电容 Cgs(M)=栅与源金属间电容 Cgs(P)=栅与P-base间电容 表达公式为: Cgs=Cgs(N+)+Cgs(P)+Cgs(M) 它们的大小由VDMOS本身设计参数及介质层厚度决定; Cgd由两个电容串联表达式 如下所示 1/Cgd=1/Cgd(ox)+1/Cgd(dep)

    时间:2021/1/4 关键词:MOS

  • MOS场效应管双峰效应评估方法-MOS场效应管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管双峰效应评估方法-MOS场效应管应用-NG体育·(中国)官方网站-APP下载
    MOS场效应管 W=10 μm L=0.18μm 测量条件 Vsource=O??Vdrain=0.1V??Vsub=-1.8 V??Vg从0升至1.8 V; 实线是Id测量值,即可看到双峰现象; Vg区间小,测试电流值小且不准确,Vg=O.5~1.OV即双峰效应评估区间; 如上b图虚线是理想Id-Vg曲线 MOS场效应管在高Vg线性区和饱和区测量值 用多项式近似曲线拟合法Polynomi-al Regression Fitting反向推导

    时间:2020/12/30 关键词:MOS场效应管

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